Siegfried Selberherr

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Siegfried Selberherr
Ilustracja
Data i miejsce urodzenia

3 sierpnia 1955
Klosterneuburg

profesor zwyczajny
Specjalność: mikroelektronika
Alma Mater

Uniwersytet Techniczny w Wiedniu

Doktorat

1981
Uniwersytet Techniczny w Wiedniu

Nauczyciel akademicki
Uczelnia

Uniwersytet Techniczny w Wiedniu

Instytut

Mikroelektroniki

Odznaczenia
Krzyż Oficerski Odznaki Honorowej za Zasługi

Siegfried Selberherr (ur. 3 sierpnia 1955 w Klosterneuburgu) – austriacki naukowiec, pracuje w dziedzinie mikroelektroniki. Jest profesorem zwyczajnym w Instytucie Mikroelektroniki[1] Politechniki w Wiedniu. Prowadzi tam przede wszystkim badania w zakresie modelowania i symulacji zjawisk fizycznych w mikroelektronice.

Kariera zawodowa[edytuj | edytuj kod]

Siegfried Selberherr studiował elektrotechnikę na Uniwersytecie Technicznym w Wiedniu, gdzie uzyskał dyplom inżyniera w 1978 r. W kolejnych latach uzyskał stopień doktora nauk technicznych (1981) i habilitację (1984) Następnie odbył staż naukowy w Bell Labs w USA. Od 1988 r. jest profesorem nadzwyczajnym Politechniki w Wiedniu w zakresie technik oprogramowania systemów mikroelektronicznych. W latach 1998–2005 był dziekanem Wydziału Elektrotechniki i Nauk Informacyjnych[2].

W latach 1996-2020 Prof. Selberherr był wybitnym wykładowcą w IEEE ‘Electron Devices Society’. W latach 2001-2018 był członkiem i wiceprzewodniczącym rady nadzorczej ams AG[3] i od tego czasu pełni funkcję doradcy naukowego tej rady. Od 2004 r. uczestniczy w pracach komitetu doradczego międzyuczelnianego Wydziału Biotechnologii Rolnej (IFA-Tulln). W tym też okresie zostaje utworzone Centrum Uniwersyteckie i Badawcze Tulln (niem. Universitäts- und Forschungszentrums Tulln – UFT), które Siegfried Selberherr wspiera od początku istnienia. W ramach kompleksu Technopol Tulln, UFT współpracuje z kilkoma instytucjami badawczymi, a jego prace badawcze koncentrują się wokół problematyki surowców odnawialnych.

Osiągnięcia[edytuj | edytuj kod]

Prof. Selberherr wraz z prowadzonymi zespołami badawczymi opublikował do tej pory ponad 400 artykułów w czasopismach i książkach oraz ponad 1200 komunikatów w materiałach konferencyjnych, z których ponad 250 zostało wygłoszonych jako wykłady zaproszone. Jest autorem 3 książek oraz przyczynił się do wydania ponad 40 innych prac. Został promotorem przeszło 100 prac doktorskich.

Wynikiem prac badawczych prof. Selberherra jest m.in. opracowanie programu MINIMOS do symulacji numerycznej przyrządów półprzewodnikowych MOS. W programie tym został m.in. zaimplementowany model ruchliwości nośników ładunku, znany obecnie jako model Selberherra. Siegfried Selberherr kierował licznymi projektami badawczymi, w których były zaangażowane zarówno firmy półprzewodnikowe, jak i instytucje finansowe, takie jak FWF (niem. Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung), CDG[4] (niem. Christian Doppler Forschungsgesellschaft) oraz ERC (ang. European Research Council).

Wyróżnienia[edytuj | edytuj kod]

  • 2021 r. ‘Fellow’ w Stowarzyszeniu Sztucznej Inteligencji Azji i Pacyfiku, AAIA[5]
  • 2021 r. ‘Life Fellow’ w IEEE
  • 2018 r. Nagroda Cledo-Brunetti IEEE[6]
  • 2015 r. Medal Franza Dinghofera Instytutu Dinghofera (niem. Franz Dinghofer-Medaille des Dinghofer-Instituts)
  • 2014 r. Odznaka honorowa ze wstęgą Marina Drinova (niem. Marin Drinov-Ehrenzeichen am Bande) Bułgarskiej Akademii Nauk
  • 2013 r. Członek rzeczywisty Akademii Europejskiej
  • 2011 r. Srebrny Krzyż Komandorski Odznaki Honorowej za zasługi dla kraju związkowego Dolna Austria (niem. Silbernes Komturkreuz des Ehrenzeichens für Verdienste um das Bundesland Niederösterreich)
  • 2009 r. ERC Advanced Grant
  • 2006 r. Doktorat honorowy Uniwersytetu w Niszu
  • 2005 r. Wielka Odznaka Honorowa za Zasługi dla Republiki Austrii
  • 2004 r. Członek rzeczywisty Europejskiej Akademii Nauki i Sztuki (niem. Europäische Akademie der Wissenschaften und Künste)
  • 2001 r. Nagroda Erwina Schrödingera (niem. Erwin Schrödinger-Preis) Austriackiej Akademii Nauk
  • 1999 r. Nagroda Naukowa kraju związkowego Dolna Austria
  • 1994 r. Medal Wilhelm Exner (niem. Wilhelm Exner Medaille) Austriackiego Towarzystwa Handlowego (niem. Österreichischen Gewerbeverein, ÖGV)
  • 1993 r. ‘Fellow’ w IEEE
  • 1986 r. Nagroda Heinza-Zemanka (niem. Heinz-Zemanek-Preis) Austriackiego Towarzystwa Informatycznego (niem. Österreichische Computer-Gesellschaft, ÖCG)
  • 1983 r. Nagroda Dr.-Ernsta-Fehrera (niem. Dr.-Ernst-Fehrer-Preis) Politechniki w Wiedniu (TU Wien)

Ważniejsze publikacje[edytuj | edytuj kod]

Artykuły w czasopismach[edytuj | edytuj kod]

  • Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors[7], 2019
  • Silicon Spintronics: Progress and Challenges[8], 2015
  • Electromigration in Submicron Interconnect Features of Integrated Circuits[9], 2011
  • Current Transport Models for Nanoscale Semiconductor Devices[10], 2008
  • A Review of Hydrodynamic and Energy-Transport Models for Semiconductor Device Simulation[11], 2003
  • MINIMOS – A Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer[12], 1980

Książki[edytuj | edytuj kod]

  • Stochastic Approaches to Electron Transport in Micro- and Nanostructures[13]
  • Programmieren in C, 3. Auflage[14]
  • Microelectronics Technology and Devices[15]
  • Simulation of Semiconductor Processes and Devices[16]
  • Technology CAD Systems[17]
  • Analysis and Simulation of Semiconductor Devices[18]

Przypisy[edytuj | edytuj kod]

  1. Instytutu Mikroelektroniki.
  2. Wydziału Elektrotechniki i Nauk Informacyjnych.
  3. ams AG.
  4. Christian Doppler Research Association.
  5. Asia-Pacific Artificial Intelligence Association, AAIA
  6. IEEE Cledo Brunetti Award Recipients [online], IEEE [dostęp 2018-08-17] (ang.).
  7. Lado Filipovic, Siegfried Selberherr, Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors, „Materials”, 12, Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors, 2019, s. 2410-1–2410-37, DOI10.3390/ma12152410.
  8. Viktor Sverdlov, Siegfried Selberherr, Silicon spintronics: Progress and challenges, „Physics Reports”, 585, Silicon spintronics: Progress and challenges, 2015, s. 1–40, DOI10.1016/j.physrep.2015.05.002.
  9. H. Ceric, S. Selberherr, Electromigration in submicron interconnect features of integrated circuits, „Materials Science and Engineering: R: Reports”, 71 (5–6), 2011, s. 53–86, DOI10.1016/j.mser.2010.09.001.
  10. V. Sverdlov i inni, Current transport models for nanoscale semiconductor devices, „Materials Science and Engineering: R: Reports”, 58 (6), 2008, s. 228–270, DOI10.1016/j.mser.2007.11.001.
  11. T. Grasser i inni, A review of hydrodynamic and energy-transport models for semiconductor device simulation, „Proceedings of the IEEE”, 91 (2), 2003, s. 251–274, DOI10.1109/JPROC.2002.808150, ISSN 0018-9219.
  12. S. Selberherr, A. Schutz, H.W. Potzl, MINIMOS #8212;A two-dimensional MOS transistor analyzer, „IEEE Transactions on Electron Devices”, 27 (8), 1980, s. 1540–1550, DOI10.1109/T-ED.1980.20068, ISSN 0018-9383.
  13. Mihail Nedjalkov, Ivan Dimov, Siegfried Selberherr, Stochastic Approaches to Electron Transport in Micro- and Nanostructures, Switzerland: Springer Nature, 2021, DOI10.1007/978-3-030-67917-0, ISBN 978-3-030-67916-3.
  14. Robert Klima, Siegfried Selberherr, Programmieren in C, Wien-New York: Springer, 2010, DOI10.1007/978-3-7091-0393-7, ISBN 978-3-7091-0392-0.
  15. J.W. Swart i inni red., Microelectronics Technology and Devices, The Electrochemical Society, 2008, ISBN 978-1-56677-646-2.
  16. Tibor Grasser, Siegfried Selberherr (red.), Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007, Wien-New York: Springer-Verlag, 2007, DOI10.1007/978-3-211-72861-1, ISBN 978-3-211-72860-4.
  17. F. Fasching, S. Halama, S. Selberherr (red.), Technology CAD Systems, Wien-New York: Springer-Verlag, 1993, DOI10.1007/978-3-7091-9315-0, ISBN 978-3-7091-9317-4.
  18. Siegfried Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Wien-New York: Springer-Verlag, 1984, DOI10.1007/978-3-7091-8752-4, ISBN 978-3-7091-8754-8.